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长鑫存储DRAM芯片宣布投产 兆易创新应声涨近9%

发布时间:2019-09-20 13:47    来源媒体:中证网

中证网讯(记者 杨洁)据新华社消息,9月20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。消息发布后,作为项目投资方之一的兆易创新(603986)股价应声大涨,截至13:40,上涨9.38%。

业内专家介绍,长鑫存储DRAM项目投产标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破,拥有了这一关键战略性元器件的自主生产能力。

DRAM即动态随机存储芯片,是最常见的系统内存,广泛用于PC、手机、服务器等领域,是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。中国是该芯片最大的应用市场,自主产能却匮乏,韩国三星、海力士、美国美光垄断了该产业95%的产能。

2016年,长鑫存储项目启动,是中国大陆少有的DRAM设计和制造一体化项目(IDM)。当时与长江存储和福建晋华并称为中国存储产业的三大探路者,备受业界瞩目。今年9月2日,长江存储已经正式宣布量产64层Xtacking 3D NAND产品。

长鑫存储的DRAM芯片项目总投资约1500亿元。2016年5月,由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与上市公司兆易创新共同出资组建,是安徽省单体投资最大的工业项目。

长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品。“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”兆易创新董事长、长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明在会上表示。


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